2016년 반도체장비 수주 현황

기사입력 2016.10.13 17:49
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• 파운드리 3D가 견인

  반도체 제조장비(SPE) 수주가 악화되는 경향이 보이기 시작하고 있다. 경기 부진이나 미세화 사이클의 변화로서 2015년 후반부터 수주 환경이 둔화되어 오다가 파운드리/로직 10㎚ 설립 및 3D 낸드 투자가 현재는 활발하다. SPE 각사의 많은 업체가 2015년 4분기 수주액에 있어서 전4분기 대비로 증액 기조가 되고 있다. 일본 반도체 제조장비협회(SEAJ)가 발표한 2015년 12월 수주액(3개월 이동평균)은 1,113억엔, BB Ratio는 1.20, 2012년 6월 이래 3년 6개월만에 수주액이 판매액을 상회하는 상황으로 호전되었다.

  일본 주요 업체의 2015년 4분기 수주액을 보아도 TEL은 전년 4분기대비 3% 증가, 히타치 국제전기는 동 12% 증가, 히타치 하이텍은 동 32% 증가로 각각 두 자리 증가를 기록하였다. 해외에서는 ASML의 2015년 4분기 수주액이 동 31% 증가가 되어서 세계적으로 비슷한 증가 경향을 보이고 있다.

  수주액이 호전된 것은 주로 파운드리/로직의 10㎚ 투자 및 3D 낸드 투자이다. 10㎚ 투자는 인텔과 삼성, TSMC 주요 3사가 각기 주력하고 있어서 2016년경 부터는 장비 납입을 위해서 현재 활발한 발주를 하고 있다. 2016년 말~2017년 초부터 양산 개시가 예정되고 있어서 MPU나 AP 채용이 예상되고 있다.

  TEL 4분기 SPE 수주 중에서 한국향(사양 현지 기준)은 전분기 대비 3.8배인 355억엔으로 급증하였다. 증가 요인은 로직과 기타 요인을 들고 있는데 삼성의 10㎚ 투자가 활발히 된 것으로 추정하고 있으며, 또한 3D 낸드 투자도 견인 재료의 하나가 되고 있다. 기존 플로팅 게이트(FG) 구조의 미세화 한계에서 각사가 주력하고 있어서 선행인 삼성을 따라가는 후속 업체의 투자도 현재 장비 수요를 끌어 올리고 있다.

  Micron은 미국 리하이공장(미국 유타)에 더해서 3D 낸드 전용 생산동이 되는 싱가폴의 팹 10x를 설립 중에 있고 도시바도 요니찌시 공장의 “N-Y2”동으로 장비 도입을 진행하고 있다. 또한 SK Hynix도 M14 라인의 상세한 설비계획을 발표하였고 인텔은 중국 대련공장의 3D 낸드 전환투자도 장비 수주를 밀어 올리고 있다.

  미국 SPE 대기업인 Lam Research 에서는 2016년 말에 낸드 플래시 전체 능력의 약 30%에 해당하는 월산 35만~45만장이 3D 낸드로 교체 될 것으로 보고 있어 2016년 반도체 설비투자를 견인하는 존재가 될 것 같다.

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• 삼성의 첨단 제조장비 도입   (10㎚ 이하 차세대)

  노광장비 업계 1위인 ASML은 차세대 UEV(극자외선) 노광장비를 2018년에 반도체 제조 라인에 도입하여 7㎚급  칩이 생산될 것으로 기대하고 있다.
  ASML은 2016년 1일 웨이퍼 처리능력을 1,500매 달성을 목표로 하고 있어서 생산성이 상당히 개선되었다고 한다.(동 장비는 2016년 5월에 삼성이 한 대 도입)

  ALD 장비는 원자 단위에 해당하는 극히 얇은 막을 균등하게 증착할 수 있는 원자층 증착장비로써 관심을 집중 시키고 있다. 반도체 업계에서는 선폭의 미세화에 따라서 ALD 활용을 증가 시키는 경향에 있으며 그중에서도 한국 장비 업체가 존재감을 높이고 있다. 유진테크는 플라즈마를 활용한 박막을 원자층 단위로 증착하는 장비를 개발 생산하여 차세대 메모리 생산라인에서 채용을 노리고 있다. 문제는 차세대메모리 생산 시기이다.
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