주요 반도체 업체의 설비투자와 사업전략

기사입력 2017.05.01 17:52
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1. 삼성전자 투자와 첨단시스템반도체

 

1) DRAM 미세화 양산 투자(1x㎚)

 

• DRAM 증설 투자는 미미

 

2016년 DRAM 비트 성장은 계속해서 20~25%를 유지하는 수준이었다. 모바일 서버용 수요는 양호하였으나 비트 구성비 전체의 30%를 점유하고 있는 PC용 부진이 이어지고 있는 것으로 현재 DRAM 가격 부진에 연계되고 있다. PC는 현재 한 대당 탑재 용량이 한계에 이르렀고 대수 수요 기준에서도 감소 경향이 계속되고 있다. 그러나 2016년 상반기부터 DRAM 비트 출하는 서서히 증가하고 있어서 2017년에는 타이트한 공급이 될 것 같다. 삼성전자도 2016년 상반기부터는 전 분기대비 5% 증가하였으며 2016년 하반기부터 상승세로 돌아설 것으로 예상된다.

 

• 모바일용 DRAM 시장과 삼성전자의 위세

 

현재 스마트폰은 20㎚, 12Gb 제품이 필수(듀얼 카메라)이다. 20㎚는 전세대인 25㎚에 비해서 미세화 기술 장벽이 한 차원 높은 제조세대여서 삼성전자가 타사보다 기술 격차를 벌이는 계기가 되었다. 20㎚ 12Gb 제품을 공급할 수 있는 업체는 현재 삼성전자뿐이어서 당분간 동사의 독점 시장이 될 것 같다(애플 아이폰의 현재도 스펙은 20㎚ 12Gb).


• DRAM 미세화 양산투자는 지연(1X㎚)

 

지금 20㎚ 세대는 업체간 격렬하게 경쟁을 반복하고 있는 DRAM이지만 각 업체는 차세대 기술인 1X㎚ 세대 개발에 박차를 가하고 있다. 선진하고 있는 삼성전자는 기술면에서 1X㎚를 2016년 하반기부터 동 프로세스로 이행을 개시한다고 한다. 마이크론도 일본 히로시마공장에서 16㎚ 세대 설립을 우선적으로 진행하고 있다. SK Hynix도 현재 개발을 진행하고 있다. 그러나 시장 전체가 아직 20~25%대에 머물고 있어서 DRAM의 생산능력 증가 투자는 거의 없고 미세화 투자도 1X㎚ 세대 양산을 2017년 이후로 미루고 있어서 미세화 사이클은 2016~2017년은 골짜기 시기에 있는 것 같다. 삼성전자도 1X㎚ 세대 양산 계획을 2017년 이후로 미루고 있어서 차세대 미세화 양산 계획은 아직 불투명하다.


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2) 3D NAND 추가 투자

 

• 삼성의 NAND 메모리 사업 투자와 사업 전략

 

2016년에 NAND 플래시는 주요 3D NAND 업체 활성화에 힘입어서 상승 기류를 타기 시작하였다. 2015년 초기 단계에서는 크게 감소될 경향을 보였지만 최종적으로 3D NAND 시장이 서서히 증가되어 갔다. 2015년 말에 3D 웨이퍼 투입 능력은 NAND 플래시 전체에 10%에도 미치지 못하였으나 2016년 말에는 전체 20%를 점유하여 월 20만장을 초과한 규모였다. 그 배경에는 현재 FG(Floating Gate)구조 미세화에 의한 공급 증가와 TLC(Triple Level Cell) 등의 멀티화 기술에 의해서 수요에 충족되고 있다.


삼성전자는 이 분야에서 선도하여 리드하고 있고 3D NAND 보급 확대를 위해서 가격을 포함한 전략적인 사업 전개를 하고 있어서 점차 고객에게 인정받고 있다. 구체적으로는 SSD를 시작으로 PC 등 분야에서도 채용 확대를 하고 있다. 더 나가서 삼성전자는 3D NAND 48층에서 FG와 격차를 해소하기 위해서 64층 다층화를 시도하고 있다. 이러한 가격의 벽을 무너뜨리면 SSD만이 아니고 eMMC용으로 대체도 가능하다.

 

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3) 첨단 시스템반도체(7㎚) 신규 공장 건설

 

• 10㎚ 시스템반도체 생산 증설(추가 투자)

 

삼성전자는 현재 10㎚ 시스템반도체 생산라인을 증설하기 위해서 장비 발주를 하고 있다. 2017년 4월부터 투자가 개시되어 2017년 하반기에 기흥 S1에 이어서 화성 17라인에서도 10나노 칩을 생산한다.


동 추가 투자에는 약 2조 5천억원을 투입한다. 10나노 생산용량은 웨이퍼 투입기준 월 1만 8천장이 추가된다. 현재 기흥 S1 웨이퍼 투입 10㎚ 시스템 반도체 생산량은 월 1만 5천장이다. 퀄컴의 스냅드래곤 835와 삼성자체 AP인 엑시노스 9 시리즈가 동사 10㎚ 공정 라인에서 생산된다.

 

• 7㎚ 칩의 양산과 실용화

 

삼성전자는 7㎚ 칩의 신규공장을 17라인 옆에 건설한다. 이곳 면적은 17라인의 1/4 수준으로 좁지만 삼성전자는 2017년 말까지 공장건설과 장비 반입까지 완료하여 양산체제를 구축한다. 신규 7㎚ 공장 초기 생산량은 웨이퍼 투입기준으로 월3만장으로 정해졌다. 공장 건설과 3만장 규모의 장비 반입에는 6조원 이상이 투입된다.

 

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2. SK Hynix 투자와 사업전략

(자료모음 벨류엔지니어링 폴더)

 

1) SK Hynix 청주에 신규 3D 공장 건설

(2.2조원 투자)

 

• 2.2조원 투자, 2019년 완성(공장 건설비)

 

SK Hynix는 충북 청주에 3D NAND 플래시 신규 공장을 건설한다고 발표하였다. 2017년 1월부터 설계 착수하여서 2017년 8월에 건설공사를 개시한다. 완성은 2019년 9월을 예상하고 있다. M15라는 청주의 3D NAND 신규 공장은 청주산업단지 테크노폴리스 구내의 부지 23.4만m2에 건설된다. 공장 규모는 이천 본사공장 M14와 비슷한 수준으로 M15의 건물 건설과 클린룸 구축에 2.2조원을 투자한다. 양산용 장비 반입 시기는 반도체 시황과 3D 기술의 진척 등을 고려하여 향후 결정한다. 동사는 스토리지 전문업체인 미국 시게이트와 SSD 합병회사 설립을 검토하고 있다. 시게이트에서 3D NAND의 대형 수주를 예상하고 있어서 신규 공장 건설로 수요 증가에 대응하여 나갈 것으로 보고 있다.


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2) 2017년 SK Hynix의 설비 투자

 

M15에서의 투자가 주요 안건이 되는 형식으로 2017년 동사의 설비 투자액은 2016년과 거의 동일한 수준인 6.8조원이 될 것으로 예상된다. 청주의 신규 공장 건설과 병행하여 이천 M14라인으로의 증산 투자도 실시한다. M14의 클린룸 하층부에서는 현재 DRAM을 생산하고 상층부에서는 향후 72층의 3D NAND를 양산하기 위해서 현재 클린룸 공사를 하고 있어서 2017년 2분기에 장비 도입을 한다. 그러나 장비의 반입 시기는 72층 제품의 기술이 확립될 수 있는 시기에 따라서 좌우된다.


더해서 DRAM을 생산하고 있는 중국의 우시(무석)공장에도 보완 투자를 실시한다. C2FL(가칭)라는 신규 공장을 건설한다. 이것에 대해서도 SK Hynix는 "C2F"는 웨이퍼 투입량의 축소를 상쇄하기 때문에 보완 투자라고 설명하고 있다. 동사는 현재 25㎚ 세대에서 21㎚로 미세화 투자를 실시중이다. 미세화에 의한 공정수 증가로 웨이퍼의 Output이 감소하기 때문에 신규 건설에서 공급량을 유지할 생각이다. 중국 우시(무석)에는 2017년 7월 ~ 2019년 4월까지 9,500억원을 투자한다고 한다. 동사는 2015년 8월에 총액 16조원을 투자하여 이천과 청주에 3개 반도체 공장을 신설한다고 발표하였다. 청주 신규 공장에 대한 투자가 그 일환이다.

 

3) SK Hynix가 미국 시게이트와 JV 설립 검토


SK Hynix는 스토리지 전문업체인 미국 시게이트와 합병회사(JV) 설립을 검토하고 있다. 확대되는 NAND 플래시메모리를 바탕으로 SSD 스토리지 시장에서 사업 확대를 위해서 생각하고 있다. 양사는 JV 설립에 잠정 합의하였다고 한다. 초기 출자는 밝히지 않고 있으나 SK Hynix가 51%, 시게이트가 49%를 보유하는 것으로 알려지고 있다. 현재 상세한 내용은 알려지지 않고 있다.


JV가 설립된다면 시게이트는 NAND 기술력을 높이는 계기가 될 수 있다. 한편 SK Hynix는 컨트롤러와 Farm wear 등의 스토리지 분야의 솔루션 개발에서 기술력 확보를 할 수 있어서 시너지 효과가 기대된다. 시게이트는 HDD 스토리지로 성장하여 왔으나 고속, 고신뢰성을 실현하는 NAND용 소프트웨어 기술도 보유하고 있다.


SK Hynix는 현재 NAND 시장에서 삼성전자, 도시바, 마이크론 다음으로 4위에 있어서 NAND 기본으로 SSD 시장에서 점유율을 거의 갖고 있지 않다. 이번 JV 설립을 SSD 사업의 확대 터전으로 생각하고 있다. 양사는 향후 엔터플라이즈용 SSD에 집중하고 이후 PC용 등의 컨슈머용 SSD 시장으로 진출할 계획이다. SSD 사업 확대에 따라서 DRAM에 편중하고 있는 SK Hynix의 매출 구조는 보다 균형이 잡힌 구성으로 될 예상이다.


JV 설립에 따라서 시게이트는 NAND 조달 전략도 향후 변화될 가능성이 높다. 시게이트는 2011년에 삼성전자의 HDD 사업부를 매수하였으나 당시 삼성전자는 시게이트 지분을 매수하여서 최고주주가 되었고 시게이트는 삼성전자에서 NAND를 조달하였다. 그러나 2016년 삼성전자는 시게이트 지분 대부분을 매각하여 양사의 관계는 두절되었다. 이번 JV 설립이 성공하면 SK Hynix가 시게이트 NAND 큰 수요처가 될 것으로 보고 있다.

 

 

3. 동부하이텍 투자와 증설

 

○ 일본, 중국 고객으로부터 수주가 급증

 

한때 심각한 경영상태가 계속되었던 동부하이텍이 2015년부터 급상승을 이루고 있다. 2015년 동사의 매출, 영업이익은 각각 6,666억원과 1,256억원이 되어서 전년대비 양호한 실적을 이루었다. 호조의 원인은 일본, 중국지역을 중심으로 한 고객으로부터 수주가 급증한 것이다. 일본시장은 스마트폰 오디오 Amp Chip 공급량을 확대하고 있고 중국시장의 경우에는 스마트폰 및 보안용 이미지센서 판매량이 증가하고 있는 것이다.


또한 동사는 아날로그반도체를 시작으로 하는 고부가가치 제품 수주 증가로 수익성이 크게 개선되고 있고 유기EL·TV용 전력반도체 및 디스플레이 구동 칩(DDI) 스마트폰 무선충전 칩과 터치스크린 칩, Finteck 칩 등에 대한 양산을 본격적으로 개시하고 있다. 동사는 한국 부천과 음성 2군데 공장을 운영하고 가동률은 96%를 넘어서 월 9만 6000장의 능력을 갖고 있다. 2016년의 능력 증설 등으로 600억원을 투자하였다. 동사의 2016년 매출, 영업이익은 각각 7,779억원과 1,873억원이 예상되고 있다. 그리고 영업이익율은 24%에 달할 것으로 보고 있다. 향후 MEMS, RF, MOSFET 등 신규사업 분야를 지속적으로 발굴하고 아날로그반도체 분야의 Top 업체로 올라서는 목표로 하고 있다.

 

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○ CIS는 전 사업의 22% 점유

 

동 사의 CIS 사업 비중은 전체 파운드리 중에서 22%를 점유하고 있다. 주요 제품은 모바일용 CIS를 시작으로 CCTV용 CIS, 디지털카메라용 CIS이다. 디지털카메라용은 3900만화소를 실현하고 있다. 동사의 CIS사업의 주요 전략은 비메모리용 CIS를 증가시켜 나가는 것이다. CIS 매출 중에서 2014년에 35%, 2015년은 45%로 증가하여 2016년에는 58%까지 확대를 도모한다. 동 사의 부천공장은 아날로그반도체와 DDI 생산을 하고 있고 음성에서는 이미지센서와 혼합신호반도체를 생산하고 있다. 동사는 CIS나 Embedded Flash 등 고부가가치 제품을 특화한 프로세스를 주축으로 하고 있어서 CIS 공정 프로세스는 0.11~0.18㎛을 채용하고 있다. CIS 사업은 2000년 초부터 시작하여서 오랜 기간의 제조 노하우와 다양한 양산경험을 살려서 중국의 팹리스 4개 업체와 한국 팹리스 3개 업체와의 파운드리 거래를 지속하고 있다. 동사의 향후 사업전략은 고부가가치 제품 확대를 시작으로 중국 모바일 기기용이나 센서 및 DDI 분야의 신제품 시장으로의 영업등을 강화한다.

 

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4. 인텔 투자와 Fab42

 

○ 7㎚ 70억불 투자

 

미국 인텔은 가 동연기를 계속하고 있던 아리조나의 찬드라 신규 공장 "Fab12"의 설비투자를 재개한다. 70억불 이상을 투자하여 차세대 7㎚ 프로세스를 설립한다. 이 투자 계획은 동사 CEO가 트럼프 대통령 방문때 공동회견을 통하여 명백히 하였다.


Fab42는 원래 2013년부터 가동을 개시할 예정이였으나 PC 시장의 축소 등에 따라서 가동을 연기하여 왔다. 이미 건물 건설은 거의 완공하였고 향후 설비를 도입하여 3~4년 후에 생산을 개시한다. 인텔에 의하면 본 건으로 최대 3000명의 신규고용을 창출할 것으로 되어서 트럼프 대통령이 주장하는 국내 고용확대에 응하는 형식이 되었다. 채용하는 프로세스는 7㎚ 세대가 될 것으로 예상되고 동사는 2017년부터 시장 투입 예정인 "Connon Lake"로 처음으로 10㎚를 채용한다. 향후 투자를 재개하는 Fab42는 이 차세대 프로세스에 해당한다.


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인텔은 2017년 설비투자액으로서 120억불(전년동기 실적 96억불)을 보고 있고 10㎚ 세대 설립을 중심으로 적극적인 투자를 한다. 비주력 사업인 메모리에는 이중 약 25억불을 충당한다. 2016년 메모리 분야의 투자액이 16억불이였기 때문에 전년대비 대폭적인 증가가 될 예상이다. 3D NAND 플래시를 양산하는 중국의 대련공장(Fab68)에도 계속 투자한다. 대련공장은 원래 MPU용 칩셋의 생산거점이였으나 이것을 3D NAND 생산공장으로 바꿔서 2016년 2분기부터 웨이퍼 투입을 개시하여 왔다.

 

 

5. WD(Western Digital) 증설 계획

 

○ 64층 제품 2017년 후반부터 양산

 

동 사는 512Gb 3비트 셀의 64층 칩의 파일럿 생산을 일본 미쯔이현 요닛찌시 공장에서 개시한다고 발표하였다(2017년 2월). 2017년 후반에 양산계획을 하고 있다. WD는 업계 최초의 512Gb 64층 3D NAND 칩은 2016년 7월에 당사가 발표한 세계 최고인 64층 아키텍처에서 집적도를 2배로 하고 있다. 본 칩을 당사의 3D NAND 기술의 Portfolio에 더한 것으로서 Refail, 모바일, 데이터 센터 어플리케이션 등 폭넓은 용도에 있어서 빠른 데이터 증가에 따른 스토리지 수요 확대에 계속 대응한다고 한다.


동 칩은 WD와 도시바의 공동 개발 제품이다. WD는 세계 최고의 48층 3D 기술 파일럿 생산을 2015년에 하였고 64층 3D 기술의 파일럿 생산을 2016년 7월에 발표하였다. 각각 기술 제품도 계속 Retail 및 OEM 고객을 위해서 출하한다.

   

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6. GF 투자, 성도 300㎜ 공장 건설

 

미국 GF(Global Foundry)는 2017년 2월 초순에 중국 사천성 성도시에 300㎜ 웨이퍼 대응 반도체공장을 착공하였다. 2018년말에 월능력 2만장의 공장을 가동시켜 2019년 말부터 22㎚ 대응의 FD-SOI(완전공지형 Silicon on Insulator) 생산을 할 예정이다.

GF는 2016년 5월 중경시에 300㎜ 공장을 설립한다고 발표 후에 투자 계획을 백지화하였다. 중경의 스카이 실리콘(유턱과기)의 200㎜ 공장 생산시설을 300㎜ 대응으로 개조하는 방법을 검토하다가 이것이 곤란하다고 판단하여 최종적으로 GF는 중경시와 인접하는 사천성 성도시에 300㎜ 공장을 건설할 것을 선정하였다.


2017년 2월 10일 성도시에서 착공식을 개최하였다. 성도시 고신구에 공장 용지를 취득하고 300㎜ 공장을 건설한다. 총 투자액은 90억불을 예상한다. 우선 2018년 말에 월능력 2만장의 공장을 가동시킨다. 2019년 말에는 22㎚ FD-SOI의 생산도 시작한다. 최종적으로 월 능력 6.5만장을 계획하고 있다. GF는 2016년 말에 이미 22㎚의 FD-SOI의 제조 프로세스를 확립하여 12㎚ 제품 개발에 착수하고 있다. FD-SOI는 FinFET과 동등한 성능과 에너지 효율을 Planar형 CMOS 프로세스로 실현하였다. 전력 소비량이 적어서 IoT 기기용 SoC 제조에 적합한 프로세스라고 한다.


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성도공장 신규 건설에 맞춰서 기존공장의 확장도 진행한다. 뉴욕에 있는 Fab8에서 14㎚ 세대의 생산능력을 20% 추가하고 2018년 초까지 증산투자를 마친다. Fab8은 계속 최첨단 프로세스 투자도 할 계획으로 차세대 7㎚는 2018년 2분기부터 생산 개시를 예정하고 있다. 또한 독일 드레스텐에 있는 Fab1에서는 IoT나 스마트폰용 프로세서, 자동차 일렉트로닉용 22㎚ FD-SOI의 생산능력을 2020년까지 40% 확대시킨다. Fab1은 FD-SOI의 주요 개발 거점으로서 자리 잡고 있어서 차세대 12㎚ FD-SOI의 개발에도 착수한다. 2018년 중반에 설계 완료를 예정하고 있다.

싱가폴 Fab7에서는 40㎚에 대응하는 300㎜ 라인을 35% 증설한다. 동시에 180㎚에 대응하는 200㎜ 라인도 설립할 예정이고 첨단 RF-SOI 프로세스 추가도 예정하고 있다.

   


7. TSMC 투자와 10/7㎚

 

○ 2017년투자 100억불, 10/7㎚ 세대에 충당

 

대만 TSMC는 2017년 설비투자 금액으로서 100억불을 계획하고 있다. 전년 실적과 비슷한 102억불이 투자금액이 되어서 2년 연속으로 100억불을 초과할 예상이다.

2016년 설비투자는 3분기(2016년 7~9월) 결산발표 시점에서 95억불정도 된다고 말하였다가 첨단 프로세스 장비 도입을 전도하여 진행한 결과 연간 투자금액은 100억불을 초과하는 규모가 되었다. 2017년에 이어서 첨단 프로세스를 중심으로 적극적인 설비 투자를 전개해 나가고 있다.


2017년 투자 안건 중심은 10/7㎚ 세대가 될 것으로 예상된다. 10㎚는 2016년 3분기에 기존 R&D Phase에서 양산 단계로 이행하고 2017년 1분기부터 초기 웨이퍼를 개시하여 본격적으로 매출에 기여하는 것은 2017년 후반을 예상한다. 10㎚의 양산 공정은 대중의 Fab15 이며 Phase 1~4 까지 28㎚ 제품 양산을 하고 있으나 Phase 5 이후는 10/7㎚를 주력 프로세스로 자리 잡고 있다. 7㎚는 현재 고객과 사이에서 기술인정을 추진하여 2017년 1분기에 완료 예정으로 고객 수는 이미 20개사를 넘고 있다.


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양산 설립 후 2년째에 5㎚로 본격채용 준비로서 EUV 리소그래피를 일부 도입할 계획이다. 10㎚의 설립이 순조롭게 진행되고 있는 것을 이유로 동사에서는 파운드리 시장에 있어서의 점유율 확대에 자신을 보이고 있다. 동사에 의하면 현재 양산 수준으로 최첨단 프로세스가 16/14㎚세대 시장 점유율은 65~70%이며 10/7㎚ 세대에서는 이것을 웃도는 수준이 될 것이라고 한다.

동사의 10㎚ 세대에는 애플이나 중국 하이실리콘(해사반도체), 대만의 MediaTek 등이 고객으로서 이름을 올리고 있다. 삼성과 제휴관계에 있는 퀄컴을 제외하고 파운드리 첨단 프로세스 수요를 독점할 수 있는 입장에 있다.

 

 

8. UMC 투자와 중국 공장

 

동 사는 2017년 설비투자 금액으로서 20억불(전년실적 28억불)을 계획하고 있다. 복건성 하문시에 현지기업과 합병으로 설립한 300㎜ 웨이퍼 대응 공장에 투자금액 중 절반을 충당할 계획이다. 2017년 투자액 중에서 300㎜에 91%, 200㎜에 9%를 충당한다. 300㎜ 투자 주요 안건인 하문시 공장 "Fab12"는 2015년 3월에 건설공사를 착수하여 2016년 11월에 준공하였다. 동 공장에서는 40㎚ 세대에 대응한 생산라인이 구축되고 있어서 주로 스마트폰용 Logic IC 등을 생산하고 있다. 2016년 말 시점에서 40㎚의 생산능력은 월 3,000장이지만 2017년 말까지는 이것을 동 1.1만장까지 증대한다.


주력 프로세스 28㎚에 관해서도 계속 증설 투자를 한다. 동 세대는 현재 대남의 "Fab 12A"를 메인으로 생산을 하고 있고 생산능력은 동 2.9만장이다. 동사에서는 이것을 향후 동 3.5만장으로 확장하여 스마트폰용을 시작으로 하는 수요증가에 대응하여 나간다. 또한 동사에 있어서 28㎚의 차세대 node에 해당하는 14㎚에 관해서도 2017년 1분기부터 고객에 대한 웨이퍼를 출하해 나갈 것을 계획하고 있다. 현재 생산능력은 월 2000장 정도로 개발라인으로 잡고 있으며 현재 엔지니어링 샘플에 주력하고 있다. 14㎚의 설립을 진행하는 것으로서 향후 하문에서의 28㎚ 투자도 구체화 하려고 한다. 대만정부는 대만 기업에 대해 2세대 지연 기술까지만 중국 본토로의 이전을 허용한다. 2016년 설비투자 실적은 당초 22억불에서 28억불로 크게 상향되었다.

 

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9. SMIC 투자와 사업 전략

 

○ 2017년 투자는 23억불

 

중국의 최대 파운드리 SMIC는 2017년 설비투자액으로 전년대비 10% 감소한 23.7억불을 계획하고 있다. 그 중에서 23억불을 파운드리 사업, 7000만불을 사원주택 건설에 사용한다. 이어서 북경과 심천 공장을 증설하여 2017년 말까지는 전년대비 생산능력을 11% 높일 계획이다. 2016년 설비투자에서는 분기마다 금액을 상향 수정하여 최종적으로 과거 최고인 26억 9470만불을 투자하였다. 그중에서 파운드리 사업에 26억2,620만불, 사원주택 건설에 6,850만불을 투자하였다.


파운드리 사업 중 12억 3,970만불을 북경시 정부와 합병회사인 300㎜ 공장 "B2" 확장에 충당한다. 투입능력을 2015년 말 시점에 월 6,000장에서 2016년 말에 1.8만장까지 증가시키고 기타 300㎜/200㎜ 공장도 증설하여 2016년 말 시점의 월 능력은 전체 기준으로 8인치 환산 40.6만매까지로 높인다.


2017년에 11% 능력 증가에 따라서 연말 기준으로 8인치 환산 45만장의 월능력을 정비한다. 투자액 중 9억불을 계속 북경 300㎜ B2 확장에 충당한다. 또한 2016년 10월에는 상해시에서 300㎜ 신규 공장 건설도 착수하였다. 상해에는 이미 300㎜와 200㎜ 공장을 보유하였고 신규공장에서는 최첨단 프로세스 node를 착수할 예정이다. 새롭게 2016년 10월에는 천진 200㎜ 공장 확장 계획도 발표하고 증설하고 있다. 동 공장은 2016년 말 시점에서 월 4.5만장의 생산능력을 보유하고 있으나 최종적으로는 15만장까지 확장하여 세계 최대인 200㎜ 공장으로 만들 생각이다.


병행하여 2016년 10월에 착공한 심천 300㎜ 신규 공장 건설도 진행하고 있다. 월능력 4만장을 계획하고 있고 2017년 말에 준공하여 2018년 중반에 가동시킬 예정으로 주로 55㎚ 프로세스 제품을 제조하려고 하며 북경 300㎜ B1 공장에서 착수하고 있는 65/55㎚ 제품용 부족을 커버한다.


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10. 도시바 메모리 사업의 분사화

 

도시바는 분사화를 검토하고 있는 메모리 사업에 관해서 주식의 반 이상을 매각하는 것도 생각하고 있다고 공표하였다. 당초 주도권을 장악하기 위해서 20% 매각을 검토하다가 2017년 2월에는 이러한 가능성을 회견장에서 제시하여 100% 양도성도 배제하지 않았다. 2017년 3월까지 매각을 끝내고 개정한 출자로서 자기자본의 충실을 도모하는 계획이 떠오르고 있다고 알려지고 있다. 동 회견에서는 2016년 4~12월 전체 매출은 전년대비 3% 감소한3조 8735억엔이고 영업순이익은 원자력 사업관련 감소 7,125억엔으로 계산하면 5,447억엔(전년대비 2,319억엔) 적자이다. 당기손이익 4,999억엔(동 4,794억엔) 적자를 예상한다. 이 결과 2016년 12월말 시점에서 주주자본이 1919억엔 마이너스가 되어서 채무초과에 빠진 것이 명백해졌다. 메모리사업의 분사화에 의해서 외부자본 도입으로 재무 체질의 건전화를 목표로 하지만 극히 한심한 경영 파탄에 직면하고 있다.한편 사내분사의 SDS (Storage & Device Solutions)가 다루고 있는 메모리 이외의 HDD나 Discrete, System LSI는 지금까지 사업 재구축에 의해서 도시바 본체에 마련할 것을 명백히 하였다.


도시바의 2016년도 상반기 메모리 매출은 전년대비 5% 감소한 4,045억엔이고 영업이익은 동 36% 감소한 501억엔에 머물고 있다. 3분기 매출은 2분기 대비 12% 증가가 되어서 영업이익은 두배가 되었다. 현재는 중화권 스마트폰용으로 왕성한 수요가 있어서 년 전체 반도체 실적은 상승세의 가능성이 높다.

 

○ 거래선의 출자 후보

 

합병 파트너인 WD는 위기에 처한 JV Partner 상황에서 당사의 JV Leader적 지위 유지와 당사의 이익을 위해서 노력한다고 하였다. 그 외에 경쟁업체인 Micron Technology도 관심을 표명하고 있다. 삼성전자는 3D NAND 증산으로 거액 투자를 계속하고 있어서 현재 한국의 평택 신규공장으로 장비 반입이 피크를 이루고 있다. 2017년 봄에는 300㎜ 환산으로 월 7만장~8만장의 새로운 생산능력을 단번에 실현할 예정이다.


도시바도 요카이찌시에 신규공장 "Fab 6"의 착공식을 2016년 2월 9일로 지연시켰다. 2016년 반도체 설비투자액은 2,850억엔을 예상한다. 2018년까지 3년동안 총 8,600억엔을 투자할 계획이라고 발표하였다. 2017년도와 2016년도를 초과하는 액수가 필요할 것으로 보고 있다. 선행하는 삼성전자를 추격하고 뒤따르는 SK Hynix나 미국 Micron을 피하고 JV Partner의 이익을 지키기 위해서 증산 계획 지연에서의 시비도 피할 수가 없다.

 

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11. 르네사스 2017년 투자 사업

 

○ 후공정을 중심으로 높은 수준의 투자 계속

 

르네사스는 2017년 설비투자로서 700억엔이 넘는 규모를 계획하고 있다. 2년 연속으로 높은 수준의 투자를 할 생각으로 테스트공정 등 후공정을 중심으로 장비의 신규도입과 개선을 하고 있다. 동 사는 10년의 발족 이후 실적 악화 영향에 더해서 사업구조개혁에 따른 공장의 폐쇠나 집약에 의해서 설비투자를 극단적으로 억제하여 왔다. 그러나 구조개혁의 계기로 설립한 2015년 이후는 자동차용 반도체의 왕성한 수요에 부응하기 위해서 서서히 설비투자를 재개하여 매출에서 점유하는 설비투자 비율도 상승 경향이었다. 2016년도 결산기 변경에 따라서 2016년 4~12월 9개월 기준으로의 결산이었으나 설비투자 실적은 전년도의 618억엔을 웃도는 728억엔을 실시하였다. 그러나 동사는 현재 첨단 프로세스에 대한 투자는 자사공장에서 하지 않고 생산은 외부위탁 위주로 하고 있고 투자는 테스트공정 등의 후공정 분야를 중심으로 하고 있다. 구체적으로는 전공정이 30%, 후공정이 55%, 기타가 15%가 되고 있어서 전공정에서는 Micron이나 Power Discrete의 생산이 증가되었고 후공정은 중국, 말레이시아의 생산 증가등이 실시되고 있다. 이번 투자에 관해서도 앞서가는 투자보다도 현재 수요에 대해서 하고 있다고 한다. 2017년 투자 계획에 관해서는 현 시점에서는 2016년도 수준이고 경우에 따라서는 700~750억엔 규모로 증가시킬 가능성도 있다고 한다. 

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